| 产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| CSD16322Q5C PDF |
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| 产品培训模块 |
NexFET MOSFET Technology
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| 视频文件 |
NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
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| 产品目录绘图 |
CSD164 Series N-Channel Pkg
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| 特色产品 |
DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs
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| 标准包装 |
2,500 |
| 系列 |
NexFET™ |
| FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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| FET 特点 |
标准
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| 漏极至源极电压(Vdss) |
25V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
97A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
5 毫欧 @ 20A,8V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大) |
1.4V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs |
9.7nC @ 4.5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds |
1365pF @ 12.5V
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| 功率 - 最大 |
3.1W
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| 安装类型 |
表面贴装
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| 封装/外壳 |
8-TDFN 裸露焊盘
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| 供应商设备封装 |
8-SON
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| 包装 |
带卷 (TR)
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| 产品目录页面 |
1623 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名称 |
296-25644-2
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